Cr4+:YAG晶體
更新日期：2024-05-14
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廠商性質：經銷商
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簡要描述：
Cr4+:YAG晶體它在0.8-1.2μm波長范圍內有強的吸收，同時具有高熔點、抗損傷、導熱性能良好等優(yōu)點，常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調Q開關。
Cr4+:YAG晶體
Cr4+:YAG晶體
日本進口boya－Cr4+:YAG晶體
Cr4+:YAG
Cr4+:YAG晶體是一種優(yōu)秀的飽和吸收材料。它在0.8-1.2μm波長范圍內有強的吸收，同時具有高熔點、抗損傷、導熱性能良好等優(yōu)點，常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調Q開關。
Cr4+:YAG晶體特征
● 壽命長
● 高損傷閾值
● 高穩(wěn)定性
● 高可靠性
● 壽命長
● 高損傷閾值
● 高穩(wěn)定性
● 高可靠性
基本參數
| 項目 | 參數 |
| 化學分子式 | Cr4+：Y3AI5O12 |
| 晶向 | [100]或[111] |
| 初始吸收系數 | 0.5～6cm-1@1064nm |
| 初始透過率 | 5%～95%@1064nmm |
| 元件尺寸 | 直徑：3～12mm 截面：2×2～30×30mm |
| 尺寸公差 | 直徑：+0,-0.02mm，厚度： +0.2,-0mm |
| 柱面加工 | 精磨 |
| 端面平行度 | ≤10" |
| 端面平面度 | λ/10 per inch @632.8nm |
| 光潔度 | 10-5(MIL-PRF-13830B) |
| 增透膜反射率 | R<0.15%@1064nm |
| 膜層抗激光損傷閾值 | >750MW/cm2 |
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